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為客戶提供全面的設備和工藝解決方案

• 薄膜沉積 • 薄膜刻蝕 • 定制設備

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AVP IBE System
- 廣泛適用所有材料刻蝕,包括RIE難以刻蝕的Au、Pt、Mo等難熔金屬、Fe、Co、Ni等磁性材料、陶瓷、氧化物、多層膜、傾斜光柵等。
- 成熟、可靠、低成本、高產能、7/24連續運行的薄膜刻蝕系統
- 歐美工業生產驗證的、多種成熟的薄膜刻蝕工藝
- 杰出的薄膜刻蝕均勻性和重復性
- 廣泛適用所有材料刻蝕,包括RIE難以刻蝕的Au、Pt、Mo等難熔金屬、Fe、Co、Ni等磁性材料、陶瓷、氧化物、多層
AVP HR PVD System
-高濃度離子輔助的傾角濺射(Directional Sputtering)
-高速率反應濺射,如Al2O3的沉積速率 > 1nm/s
-優異的薄膜厚度均勻性(1σ<1%),裹覆率(Step Coverage ~50%)
-基片背面氦氣冷卻,基片溫度(<50°C)
-高靶材使用率(>80%)
-高濃度離子輔助的傾角濺射(Directional Sputtering)
-高速率反應濺射,如Al2O3的沉
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專注打造世界先進水平的高端微納器件、半導體、及新能源加工設備
公司由美國硅谷企業家團隊與國內著名上市企業天通公司(TDG)合作,在浙江海寧創立。公司聚集了多位海內外資深微納加工及半導體設備、工藝、材料專家,專注打造世界先進水平的高端微納器件、半導體、及新能源加工設備。

公司的核心技術和產品包括物理氣相沉積/磁控濺射(PVD)、離子束刻蝕機(IBE)、反應離子刻蝕機(RIE)等系列MEMS、半導體、新能源器件制造專用設備。公司自創立以來,已經獲得幾十項國家專利。
公司總部
中國浙江省嘉興市海寧市海昌街道芯中路6號16幢
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